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- 질화 갈륨 트랜지스터
그런 만큼 많은 연구자들이 실리콘을 대신할 반도체 재료를 찾고 있는데, 그중 하나가 바로 질화갈륨GaN소재 입니다. 질화갈륨 트랜지스터는 질화갈륨 트랜지스터 개발
GaN FET는 지금까지의 어떠한 반도체 트랜지스터보다 고전류와 고내전압특성을 동시에 갖고 있으며 또한 우수한 고주파 특성을 갖고 있어 마이크로파 밀리파 출력 고출력 마이크로파 디바이스로서 질화 갈륨 트랜지스터
코스닥 상장사 RFHIC는 이달 미국 보스턴에서 열린 무선주파수RF 분야 최대 전시회인 IEEE IMS 2019에서 미래 신소재로 기대되는 질화갈륨 RFHIC, 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터 개발 완료
적은 에너지를 소비할 뿐 아니라 스위칭 속도도 훨씬 빠릅니다. 하지만 질화갈륨 트랜지스터를 상용화하는 것은 매우 어려운 일이었습니다. 우선 다른 차세대 소재들과 반도체 기술의 혁명될까? 질화갈륨 트랜지스터 개발
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